삼성 30핀 1MB DRAM SIMM

Posted by DeviceLog.com | Posted in DRAM | Posted on 11-03-2013

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KMM591000AN-7과 KMM591000BN-7은 삼성전자의 30핀 1MB 디램(DRAM) 심(SIMM) 제품이다. KMM591000AN-7은 KM44C1000AJ-7 두 개와 KM44C1000CJ-7 하나가 들어가 있다.
KMM591000BN-7은 KM44C1000BJ-7 두 개와 KM44C1000CJ-7 하나가 들어가 있다. 만든 회사 : 삼성전자 (Samsung Electronics) 만든 해 : 1992 / 1993 만들어진 나라  : 한국 특징, 사양 : 30핀, SIMM, 패리티 램 (parity …

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금성 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

Posted by DeviceLog.com | Posted in DRAM | Posted on 02-08-2011

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기판의 도금색이 금빛이고 기판 모습이 조금 다르지만, 용량과 기능은 GM71C4400A와 GM71C1000을 쓴 SIMM와 다르지 않다. GM71C4400B는 1M × 4bit이고 GM71C1000B는 1M × 4bit여서 각각 GM71C4400A와 GM71C1000과 용량이 같다. 제조 회사인 금성 일렉트론(Goldstar Electron)은 LG 반도체로 이름이 바뀌었다가 현대전자산업(지금의 하이닉스)에 흡수합병되었다.   만든 회사 : 금성 일렉트론(Goldstar Electon) 만든 때 : 1994년 …

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금성 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000)

Posted by DeviceLog.com | Posted in DRAM | Posted on 02-08-2011

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금성(Goldstar)는 제조사인 금성 일렉트론(Goldstar Electron)의 상표이다. 금성 일렉트론은 1995년에 LG 반도체로 상호를 바꾸었고, 1999년에 현대전자산업(지금의 하이닉스)에 흡수합병되었다. 만든 회사 : 금성 일렉트론(Goldstar Electron) 만든 해 : 1993년 제품 구분 : 30핀, DRAM, SIMM, 패리티 램 용량 : 1MB 대역폭 : 8bit 속도 구분 : 70ns(tRAC) 칩 구성 : GM71C4400A × 2 + GM71C1000 …

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현대 30핀 1MB DRAM SIMM

Posted by DeviceLog.com | Posted in DRAM | Posted on 02-08-2011

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현대전자산업(지금의 하이닉스)의 30핀 1MB 램이다. 30핀 램은 80286부터 80486에까지 많이 쓰였다. 칩이 홀수 개이면 칩 하나는 홀짝 맞춤(parity check)을 하는 구실을 한다. 이 램은 1M x 4bit인 HY514400A 2개가 달려서 바이트로 셈한 기억 용량이 1MB이다. 1M x 1bit인 HY531000A는 홀짝 검사(parity check)를 하기 위한 기억 공간이다.   만든 회사 : 현대전자산업 만든 때 : 1993년 제품 구분 : 30핀, SIMM, 패리티 램 용량 : 1MB 대역폭 : 8bit 속도 구분 …

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