KMM591000AN-7과 KMM591000BN-7은 삼성전자의 30핀 1MB 디램(DRAM) 심(SIMM) 제품이다. KMM591000AN-7은 KM44C1000AJ-7 두 개와 KM44C1000CJ-7 하나가 들어가 있다. KMM591000BN-7은 KM44C1000BJ-7 두 개와 KM44C1000CJ-7 하나가 들어가 있다. 만든 회사 : 삼성전자 (Samsung Electronics) 만든 해 : 1992 / 1993 만들어진 나라  : 한국 특징, 사양 : 30핀, SIMM, 패리티 램 (parity RAM) 있음 기억 용량  : 1MB 대역폭 : 8비트 속도 : […]

이름  : 엘피다(ELPIDA) 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 부품 번호 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F 제조사 : 엘피다 (ELPIDA) 생산국 : 대만 만든 해/주 : 2010/38 규격 : DDR3, SO-DIMM, 204pin, Non-ECC 기역 용량 : 2GB 최대 전송 속도  : 1333Mbps 전압 : 1.5V 구성 : 256M words × 64 bits, 2 ranks 칩 구성 : J1108BFBG-DJ-F × 16 대기 시간 […]

EDO(Extended DataOut) DRAM은 자료를 입출력하기 위한 임시 기억 공간을 따로 두어서 시렁 기억장치(캐시 메모리: cache memory)의 지원이 없을 때에 CPU와 주기억장치가 소통하는 속도를 높였다. 시렁이 있을 때는 EDO 램의 효과가 크지 않다. 72핀 램의 대역폭은 80486 CPU와 같은 32비트이다. 대역폭이 64비트인 펜티엄 CPU를 쓸 때는 두 개씩 짝지어 붙인다. 만든 회사 : 현대전자산업 만든 해/주 […]

기판의 도금색이 금빛이고 기판 모습이 조금 다르지만, 용량과 기능은 GM71C4400A와 GM71C1000을 쓴 SIMM와 다르지 않다. GM71C4400B는 1M × 4bit이고 GM71C1000B는 1M × 4bit여서 각각 GM71C4400A와 GM71C1000과 용량이 같다. 제조 회사인 금성 일렉트론(Goldstar Electron)은 LG 반도체로 이름이 바뀌었다가 현대전자산업(지금의 하이닉스)에 흡수합병되었다.   만든 회사 : 금성 일렉트론(Goldstar Electon) 만든 때 : 1994년 제품 구분 : 30핀, […]

금성(Goldstar)는 제조사인 금성 일렉트론(Goldstar Electron)의 상표이다. 금성 일렉트론은 1995년에 LG 반도체로 상호를 바꾸었고, 1999년에 현대전자산업(지금의 하이닉스)에 흡수합병되었다. 만든 회사 : 금성 일렉트론(Goldstar Electron) 만든 해 : 1993년 제품 구분 : 30핀, DRAM, SIMM, 패리티 램 용량 : 1MB 대역폭 : 8bit 속도 구분 : 70ns(tRAC) 칩 구성 : GM71C4400A × 2 + GM71C1000

현대전자산업(지금의 하이닉스)의 30핀 1MB 램이다. 30핀 램은 80286부터 80486에까지 많이 쓰였다. 칩이 홀수 개이면 칩 하나는 홀짝 맞춤(parity check)을 하는 구실을 한다. 이 램은 1M x 4bit인 HY514400A 2개가 달려서 바이트로 셈한 기억 용량이 1MB이다. 1M x 1bit인 HY531000A는 홀짝 검사(parity check)를 하기 위한 기억 공간이다.   만든 회사 : 현대전자산업 만든 때 : 1993년 […]